BM 60212高、低端驱动器
更新时间：2019-08-12
BM 60212高、低端驱动器
Rohm的驱动器工作电压高达1200 V，可以驱动N通道功率MOSFET和IGBT。
罗姆氏BM 60212FV-C是一种高、低端驱动芯片，可通过自举操作工作1200 V，并可驱动N通道功率MOSFET和IGBT。欠压锁定(UVLO)功能和米勒箝位功能是内置的.
特征
AEC-Q 100合格
高压浮式电源电压1200 v
主动铣刀夹紧
欠压闭锁功能
3.3 V和5.0 V输入逻辑兼容一级
最大栅极驱动电压：24V
MOSFET栅驱动器
IGBT栅极驱动器
高频浮动电源电压：1200伏
打开/关闭时间：75 ns(最大)
逻辑输入最小脉宽：60 ns
典型应用电路
